特許
J-GLOBAL ID：200903067466368248
アクティブマトリクス基板
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-343013
公開番号（公開出願番号）：特開平5-173179
出願日： 1991年12月25日
公開日（公表日）： 1993年07月13日
要約：
【要約】【目的】 アクティブマトリクス型液晶表示装置に用いるアクティブマトリクス基板を改良する。【構成】 基板上に、スイッチとしての薄膜トランジスタを含む画素部と、薄膜トランジスタを含んで構成された周辺回路部とが形成されたアクティブマトリクス基板において、画素部の薄膜トランジスタはオフセット構造またはLDD構造とされ、周辺回路部の薄膜トランジスタはソースおよびドレイン領域の端部とゲート電極の端部とが整合または重なり合う構造とされている。画素部の薄膜トランジスタはオフセット構造あるいはLDD構造とされるので、オフ電流の低減が可能であり、これに対して、周辺回路部の薄膜トランジスタは通常の構造(ゲート電極とソース、ドレイン領域が整合または重なり合う構造)とされるので、オン電流の低下を防止できる。
請求項（抜粋）：
基板上に、スイッチとしての薄膜トランジスタを含む画素部と、薄膜トランジスタを含んで構成された周辺回路部とが形成されたアクティブマトリクス基板において、前記画素部の薄膜トランジスタはオフセット構造またはLDD構造とされ、前記周辺回路部の薄膜トランジスタはソースおよびドレイン領域の端部とゲート電極の端部とが整合または重なり合う構造とされていることを特徴とするアクティブマトリクス基板。
IPC (4件)：
G02F 1/136 500
, G09F 9/30 338
, H01L 27/12
, H01L 29/784
