特許

J-GLOBAL ID：200903067481370453

酸化タンタル薄膜の製造方法

発明者： 澁谷 宗裕 ,  北川 雅俊 ,  鎌田 健 ,  平尾 孝
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 池内 寛幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-026480
公開番号（公開出願番号）：特開平5-221644
出願日： 1992年02月13日
公開日（公表日）： 1993年08月31日
要約：

【要約】【目的】 界面に存在するSiO2 膜の膜厚を薄く制御でき、誘電率の高い酸化タンタル薄膜の製造方法を提供する。【構成】 真空室1内でポリシリコン基板5の表面を水素13、アルゴンガス18のプラズマによって処理し、基板5表面の自然酸化膜を除去する。アンプル3内のTa(OC2 H5 )5 はAr不活性ガス4によってバブリングされ真空室1に導入され、熱分解反応して基板5上に低酸化の酸化タンタル薄膜として堆積させた後、O2 ガス12を導入し、電極15、16の間に電界を印可してプラズマ分解されたO2 がこの薄膜に照射され酸化が促進される。

請求項（抜粋）：

原料ガスとして有機タンタル化合物、または、無機タンタル化合物を用いて真空室内で熱分解反応させる化学気相成長法による酸化タンタル薄膜の製造方法に於て、前記真空室内に原料ガスとして前記有機タンタル化合物、または、無機タンタル化合物と、不活性ガスを導入し、熱分解反応させることによって、タンタル薄膜または低酸化の酸化タンタル薄膜を形成したのち、プラズマ分解したO2 またはプラズマ分解したO3 を照射する事を特徴とする酸化タンタル薄膜の製造方法。

IPC (2件)：

C01G 35/00 ,  C23C 16/40