特許

J-GLOBAL ID：200903067484136010

金属を付着する方法

発明者： ドナルド・ルネ・ウォール ,  ジョン・ジョセフ・ギャラント ,  ケヴィン・マイケル・プリティマン ,  スリニヴァーサ・エスエヌ・レディ
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
代理人 (1件)： 坂口 博 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-078100
公開番号（公開出願番号）：特開2000-001782
出願日： 1999年03月23日
公開日（公表日）： 2000年01月07日
要約：

【要約】【課題】 ソース金属を、セラミック基板に接合された受容金属の上に付着する方法を提供する。【解決手段】 CVDプロセスを開示する。このプロセスでは、ニッケルまたはニッケル合金を、受容金属12の表面に付着する。このとき、ヨウ化物ソースを用い、および受容金属の表面と接触する少なくとも1種の不活性分離材23を用いる。この発明は、基本的に、MoまたはWの上にNiのCVDを可能にする。ニッケル・ソースは、少なくとも1種の不活性材を用いて、メッキされる高融点金属の表面から物理的に分離される。不活性材は、ニッケルで被覆される高融点金属の表面に対し、浮き接触している。

請求項（抜粋）：

少なくとも1種のソース金属を、基板に接合された少なくとも1種の受容金属の上に付着する方法において、(a)前記受容金属を含む前記基板を、少なくとも1種のソース金属を含むチャンバ内に配置するステップであって、少なくとも1種の不活性材の少なくとも一部が、前記少なくとも1種の受容金属の少なくとも一部に、浮き接触しているステップと、(b)前記チャンバおよびその内容物を、非酸化雰囲気中で、最大約200分の間、約700°C〜約1000°Cの温度に加熱するステップと、(c)前記チャンバおよびその内容物を冷却し、前記受容金属へ、前記ソース金属よりなる少なくとも1つの層を付着させるステップと、(d)前記受容金属へ付着された前記ソース金属よりなる層を含む前記基板を、前記チャンバから取り出すステップと、を含むことを特徴とする方法。

IPC (2件)：

C23C 16/14 ,  H01L 21/285

FI (2件)：

C23C 16/14 ,  H01L 21/285 C