特許
J-GLOBAL ID：200903067486160660
半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-277273
公開番号（公開出願番号）：特開平5-090208
出願日： 1991年09月25日
公開日（公表日）： 1993年04月09日
要約：
【要約】【目的】 硅化金属膜と不純物拡散層との間のコンタクト抵抗を低減する。【構成】 硅化金属膜と不純物拡散層との界面にGeの高濃度領域を自己整合的に形成する。
請求項（抜粋）：
素子分離絶縁膜間の半導体基板上に形成された不純物拡散層と、前記不純物拡散層の上部に形成されたGe注入層と、前記Ge注入層の上部に形成された硅化金属膜と、前記素子分離絶縁膜の上部、および前記硅化金属膜の上部に所定の隙間をあけて形成された層間絶縁膜と、前記硅化金属膜の露出している表面と前記層間絶縁膜の表面を覆うようにして形成された金属配線とを備えたことを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/28 301
, H01L 21/28
, H01L 21/90
