特許
J-GLOBAL ID：200903067487133011
半導体素子リードフレーム用はんだ鍍金装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
熊谷 隆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-146603
公開番号（公開出願番号）：特開平5-315505
出願日： 1992年05月12日
公開日（公表日）： 1993年11月26日
要約：
【要約】【目的】 リードフレームが鍍金液中に浸漬する際曲がったり、鍍金液の循環流によりリードフレーム4が動いてしまうことがなく、均一なはんだ鍍金ができる半導体素子リードフレーム用はんだ鍍金装置を提供すること。【構成】 鍍金液が収容された鍍金槽1内に所定の間隔を設けて一対の陽電極6,6を対向して配置すると共に、該陽電極6,6の間に所定の間隔を設けて一対の遮蔽板2,2を配置し、該遮蔽板2,2の間に半導体素子3が実装されたリードフレーム4の単品を治具5により挾持して浸漬し、該リードフレーム4を陰電極とし該リードフレーム4と陽電極6,6の間に所定の電流を通電し、リードフレーム4にはんだ鍍金を施す半導体素子リードフレーム用はんだ鍍金装置において、一対の遮蔽板2,2の間にリードフレーム4を該遮蔽板間2,2の略中央位置に導く一対のガイド板8,8を配置した。
請求項（抜粋）：
鍍金液が収容された鍍金槽内に所定の間隔を設けて一対の陽電極を対向して配置すると共に、該陽電極の間に所定の間隔を設けて一対の遮蔽板を配置し、該遮蔽板の間に半導体素子が実装されたリードフレームの単品を治具により挾持して浸漬し、該リードフレームを陰電極とし該リードフレームと前記陽電極の間に所定の電流を通電し、前記リードフレームにはんだ鍍金を施す半導体素子リードフレーム用はんだ鍍金装置において、前記一対の遮蔽板の間に前記リードフレームを該遮蔽板間の所定位置に導く一対のガイド板を対向して配置したことを特徴とする半導体素子リードフレーム用はんだ鍍金装置。
IPC (3件)：
H01L 23/50
, C23C 2/08
, H01G 13/00 301
