特許
J-GLOBAL ID：200903067487845470
半導体レーザ素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
齋藤 義雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-357766
公開番号（公開出願番号）：特開平5-048202
出願日： 1991年12月26日
公開日（公表日）： 1993年02月26日
要約：
【要約】【目的】 閾値電流の低下、θ⊥/θ‖の比の低下、リッジストライプ幅の狭小化、温度特性の改善をはかることのできる半導体レーザ素子を提供とする。【構成】 半導体基板11上に、活性層14を含むダブルヘテロ構造が順次積層されて、導波路用のリッジ部が形成されている半導体レーザ素子において、半導体基板11と活性層14との間に、電流阻止層12を主体にした電流狭窄構造が設けられているから、活性層14のリッジ部側だけでなく、活性層の基板側においても電流が狭窄されることとなり、電流の閉じ込め効果が改善される。リッジ部の両側が樹脂層19で埋め込まれている場合、リッジストライプ幅を小さくすることができ、素子の放熱特性もよくなる。活性層14が二層からなり、両活性層14の間に中間クラッド層を有するDCC構造が介在されている場合、θ⊥/θ‖の比を小さくすることができ、温度特性も安定する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に、活性層を含むダブルヘテロ構造が順次積層されて、導波路用のリッジ部が形成されている半導体レーザ素子において、半導体基板と活性層との間に、電流狭窄構造が設けられていることを特徴とする半導体レーザ素子。
引用特許：
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