特許

J-GLOBAL ID：200903067496459329

基板の処理装置及び処理方法、並びに物質源ホルダー

発明者： デスモンド・ギブソン
出願人/特許権者： アールティーシー・システムズ・リミテッド
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-245639
公開番号（公開出願番号）：特開2002-105627
出願日： 2001年08月13日
公開日（公表日）： 2002年04月10日
要約：

【要約】【課題】基板への成膜の厚さを均一にできる方法並びに装置を提供する。【解決手段】この装置10は、真空チャンバ12と、処理される基板16を支持するための基板用支持体16と、基板が処理される物質源を保持するための物質源ホルダーと、物質を蒸発並びにスパッタリングするための蒸発並びにスパッタリング手段20とを有する。前記物質源ホルダーは、前記物質源を基板用支持体に向けて相対的に移動させる位置付け手段を有する。

請求項（抜粋）：

真空チャンバと、処理される基板を支持するための基板用支持体と、基板が処理される物質源を保持するための物質源ホルダーと、物質を蒸発並びにスパッタリングするための蒸発並びにスパッタリング手段とを具備し、前記物質源ホルダーは、前記物質源を基板用支持体に向けて相対的に移動させる位置付け手段を有する、基板の処理装置。

IPC (2件)：

C23C 14/24 ,  C23C 14/34

FI (2件)：

C23C 14/24 C ,  C23C 14/34 R

Fターム (8件)：

4K029DB21 ,  4K029DB23 ,  4K029DC01 ,  4K029DC35 ,  4K029DC37 ,  4K029EA05 ,  4K029EA09 ,  4K029HA01

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 薄膜形成装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-041036   出願人：三菱電機株式会社
• 特開昭58-034171