特許

J-GLOBAL ID：200903067498175891

ポジ型レジスト組成物

発明者： 丹 史郎 ,  藤森 亨 ,  山中 司
出願人/特許権者： 富士写真フイルム株式会社
代理人 (1件)： 小栗 昌平 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-029753
公開番号（公開出願番号）：特開2002-229210
出願日： 2001年02月06日
公開日（公表日）： 2002年08月14日
要約：

【要約】【課題】半導体デバイスの製造において、通常のパターン形成においても十分な解像力と耐熱を示し、かつ、適切なフローベーク温度のみでパターン寸法を小さくすることが可能であり、フロー速度も適切でありフロー量が制御し易く矩形なプロファイルを有するレジスト材料を提供する。【解決手段】(ア)酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増加する酸分解性樹脂と(イ)光酸発生剤とを含有し、前記(ア)の樹脂が、酸分解の前後のガラス転移点について、以下に示す特性を満足する樹脂Aと樹脂Bとからなることを特徴とするポジ型レジスト組成物。酸分解前: 樹脂Aのガラス転移点>樹脂Bのガラス転移点酸分解後: 樹脂Aのガラス転移点<樹脂Bのガラス転移点

請求項（抜粋）：

(ア)酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増加する酸分解性樹脂と(イ)光酸発生剤とを含有し、前記(ア)の樹脂が、酸分解の前後のガラス転移点について、以下に示す特性を満足する樹脂Aと樹脂Bとからなることを特徴とするポジ型レジスト組成物。酸分解前: 樹脂Aのガラス転移点>樹脂Bのガラス転移点酸分解後: 樹脂Aのガラス転移点<樹脂Bのガラス転移点

IPC (5件)：

G03F 7/039 601 ,  C08K 5/00 ,  C08L 25/00 ,  G03F 7/40 ,  H01L 21/027

FI (5件)：

G03F 7/039 601 ,  C08K 5/00 ,  C08L 25/00 ,  G03F 7/40 ,  H01L 21/30 571

Fターム (39件)：

2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AA10 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025FA17 ,  2H025FA29 ,  2H096AA25 ,  2H096BA11 ,  2H096EA03 ,  2H096EA04 ,  2H096GA08 ,  2H096HA01 ,  4J002BC10W ,  4J002BC10X ,  4J002BC12W ,  4J002BC12X ,  4J002EB006 ,  4J002EB016 ,  4J002EN136 ,  4J002EQ016 ,  4J002ES006 ,  4J002EU186 ,  4J002EV216 ,  4J002EV256 ,  4J002EV296 ,  4J002EW176 ,  4J002EY006 ,  4J002EZ006 ,  4J002FD310 ,  4J002GP03 ,  4J002HA05 ,  5F046LA13 ,  5F046LA18