特許
J-GLOBAL ID：200903067500005567
基板から金属を選択的にエッチングする方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
合田 潔 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-108631
公開番号（公開出願番号）：特開平6-349978
出願日： 1994年05月23日
公開日（公表日）： 1994年12月22日
要約：
【要約】【目的】 アクリルベース・ネガ型フォトレジストを、熱いアルカリ性過マンガン酸塩エッチング液および塩化鉄エッチング液へ耐えるようにし、基板へのフォトレジストの接着性を改良し、フォトレジストを現像または剥離するのにハロゲン化試薬を必要としないようにする。【構成】 過マンガン酸塩エッチング液によるアクリルベース・ネガ型フォトレジストの分解を、約254nm波長の遠紫外線の豊富な紫外線、または約2.4〜8ミクロンの赤外線放射の光化学反応を起こす放射線の選択波長に、露光されたアクリルベース・ネガ型フォトレジストを曝すことにより克服できる。紫外線が使用される場合には、次に、フォトレジストをベークして、フォトレジストのアンダーカットを減少させる。その後、フォトレジストを、無ハロカーボン溶媒を使用して剥離する。
請求項（抜粋）：
基板から金属を選択的にエッチングする方法において、A.アクリル・ネガ型フォトレジストを準備する工程と、B.基板にフォトレジストを設ける工程と、C.フォトレジストを露光する工程と、D.フォトレジストを現像する工程と、E.約200〜310nm,または約2.4〜約8ミクロンより成る群から選択した波長を有する光化学反応を起こす放射線へフォトレジストを曝す工程と、F.フォトレジストにより被覆されない金属の部分を除去するために、フォトレジストがコーティングされた基板にエッチング液を接触させる工程と、を含むことを特徴とする、金属を選択的にエッチングする方法。
IPC (5件)：
H01L 23/12
, C23F 1/00 102
, C23F 1/38
, H05K 3/00
, H05K 3/06
