特許

J-GLOBAL ID：200903067505426706

半導体レーザ変調回路装置

発明者： 本多 芳三 ,  太田 裕之 ,  沖 十九康
出願人/特許権者： 株式会社テラテック
代理人 (1件)： 志賀 正武 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-269204
公開番号（公開出願番号）：特開平7-122808
出願日： 1993年10月27日
公開日（公表日）： 1995年05月12日
要約：

【要約】【目的】 寄生インダクタンスを低下でき、半導体レーザを高周波で変調できる半導体レーザ変調回路装置を提供する。【構成】 半導体レーザ1の電極を伝送路51,52に接続する手段として、ヒートシンク2の金属面を用いて直接接続し、金属ワイヤを不要とする。さらに、半導体レーザ1の上部電極と伝送路51とを、半導体レーザ1の上部電極とほぼ同じ高さの金属ブロック31を介して、金属ワイヤ32により接続するので、金属ワイヤの長さが短くでき、かつ、半導体レーザの上部電極に作用する応力の影響が小さいため、金属ワイヤの断面積を大きくできる。

請求項（抜粋）：

上部電極と下部電極を有する半導体レーザと、前記半導体レーザに接するヒートシンクと、前記半導体レーザの上部電極に一端が電気的に接続される第1の伝送路と、前記半導体レーザの下部電極に一端が電気的に接続される第2の伝送路とを具備する半導体レーザ変調回路装置において、前記ヒートシンクは前記半導体レーザの下部電極に電気的に接続された金属面を有し、前記第2の伝送路は前記金属面を介して前記半導体レーザの下部電極と電気的に接続されることを特徴とする半導体レーザ変調回路装置。