特許

J-GLOBAL ID：200903067509033571

水素吸蔵合金電極材料の製造方法

発明者： 嘉山 美穂 ,  辻 庸一郎 ,  岡田 行広
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 石井 和郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-174951
公開番号（公開出願番号）：特開2002-367609
出願日： 2001年06月11日
公開日（公表日）： 2002年12月20日
要約：

【要約】【課題】 AB5型で比較的低容量の水素吸蔵合金を原料として用い、合金容量を維持しつつ、高率放電特性に優れた水素吸蔵合金電極材料を製造する方法を提供する。【解決手段】 CaCu5型の結晶構造を有するAB5型水素吸蔵合金からなる核合金の表面に水酸化ニッケルを付与する第一工程、ならびに表面に水酸化ニッケルを有する核合金を、減圧下または還元雰囲気中で加熱することにより、核合金と水酸化ニッケル中のニッケルとを反応させ、核合金の表層部にニッケルを含む層を形成する第二工程を有することを特徴とする水素吸蔵合金電極材料の製造方法。

請求項（抜粋）：

CaCu5型の結晶構造を有するAB5型水素吸蔵合金からなる核合金の表面に水酸化ニッケルを付与する第一工程、ならびに表面に水酸化ニッケルを有する核合金を、減圧下または還元雰囲気中で加熱することにより、核合金と水酸化ニッケル中のニッケルとを反応させ、核合金の表層部にニッケルを含む層を形成する第二工程を有することを特徴とする水素吸蔵合金電極材料の製造方法。

IPC (5件)：

H01M 4/38 ,  B22F 1/02 ,  B22F 5/00 ,  H01M 4/24 ,  H01M 4/52

FI (5件)：

H01M 4/38 A ,  B22F 1/02 F ,  B22F 5/00 K ,  H01M 4/24 J ,  H01M 4/52

Fターム (16件)：

4K018AA08 ,  4K018BC28 ,  4K018BD07 ,  4K018KA38 ,  5H050AA02 ,  5H050BA14 ,  5H050CA03 ,  5H050CB02 ,  5H050CB17 ,  5H050GA02 ,  5H050GA14 ,  5H050GA27 ,  5H050HA01 ,  5H050HA02 ,  5H050HA14 ,  5H050HA20