特許
J-GLOBAL ID:200903067511362817
導電性シリカ及びその製造方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
小島 隆司 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-193354
公開番号(公開出願番号):特開2001-023435
出願日: 1999年07月07日
公開日(公表日): 2001年01月26日
要約:
【要約】【解決手段】 シリカ表面上にケイ素系高分子化合物層、ニッケル層及び金層が順次形成されてなることを特徴とする導電性シリカ。【効果】 本発明によれば、安価で簡便な工程により、凝集のないシリカ-ケイ素系高分子化合物-ニッケル-金という4層構造をもつ導電性シリカを得ることができる。この導電性シリカは、優れた導電性と耐熱性をもつ。
請求項(抜粋):
シリカ表面上にケイ素系高分子化合物層、ニッケル層及び金層が順次形成されてなることを特徴とする導電性シリカ。
IPC (6件):
H01B 1/00
, B01J 19/00
, B22F 1/02
, C01B 33/18
, C23C 18/31
, H01B 1/24
FI (6件):
H01B 1/00 C
, B01J 19/00 N
, B22F 1/02 B
, C01B 33/18 C
, C23C 18/31 A
, H01B 1/24 Z
Fターム (54件):
4G072AA25
, 4G072AA38
, 4G072AA41
, 4G072BB05
, 4G072BB07
, 4G072DD02
, 4G072DD03
, 4G072DD04
, 4G072DD05
, 4G072GG01
, 4G072GG03
, 4G072HH14
, 4G072HH28
, 4G072LL11
, 4G072LL13
, 4G072LL14
, 4G072LL15
, 4G072MM02
, 4G072MM31
, 4G072QQ06
, 4G072QQ09
, 4G072UU07
, 4G072UU08
, 4G075AA24
, 4G075AA27
, 4G075AA30
, 4G075BA06
, 4G075CA02
, 4G075CA51
, 4G075CA54
, 4G075CA65
, 4K018BA01
, 4K018BA04
, 4K018BA20
, 4K018BC22
, 4K018BC26
, 4K018BC30
, 4K022AA05
, 4K022AA41
, 4K022BA14
, 4K022CA06
, 4K022CA09
, 4K022CA20
, 4K022CA21
, 4K022CA22
, 4K022DA01
, 4K022EA04
, 5G301AB08
, 5G301DA03
, 5G301DA05
, 5G301DA10
, 5G301DA11
, 5G301DA36
, 5G301DA60
引用特許:
審査官引用 (4件)
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導電性無電解めっき粉体
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-141300
出願人:日本化学工業株式会社, 株式会社日本触媒
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特開昭64-062475
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特開昭64-089209
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