特許
J-GLOBAL ID：200903067511650782
電流検出装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
岩橋 文雄
, 坂口 智康
, 内藤 浩樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-175473
公開番号（公開出願番号）：特開2004-020371
出願日： 2002年06月17日
公開日（公表日）： 2004年01月22日
要約：
【課題】本発明は、MR素子個々の出力バラツキの影響を排除し、精度のよい電流検出を実現する電流検出装置を提供することを目的とする。【解決手段】本発明の電流検出装置は、強磁性磁気抵抗体よりなる感磁部と温度補償部を互いに直交させて構成した第1のハーフブリッジと同様に感磁部と温度補償部で構成され、第1のハーフブリッジと45度の角度を持たせて配置した第2のハーフブリッジを含み、電流の流れる電線1に近接して配置したMR素子3と、このMR素子3に近接して配置したバイアス磁石5とを備え、電線の電流方向にバイアス磁石5の磁極方向、第1のハーフブリッジの強磁性磁気抵抗体の長手方向を合わせたものである。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板上に同じ抵抗値を持つ強磁性磁気抵抗体よりなり磁界に感磁する感磁部と温度補償を行う補償部を互いに直交させて構成した第1のハーフブリッジと、同様に互いに直交する同じ抵抗値を持つ感磁部と補償部とで構成され、第1のハーフブリッジと45度の角度を持たせて配置した第2のハーフブリッジを含み電流の流れる電線に近接して配置したMR素子と、このMR素子に近接して配置したバイアス磁石とを備え、第1のハーフブリッジの感磁部を構成する抵抗体の長手方向を電線の電流方向に合わせ、バイアス磁石の磁極方向を電流方向に合わせ、バイアス磁界量Hbと電流で発生する磁界Hとの合成磁界Hcを第1、第2のハーフブリッジで検出し、電流供給時の夫々のハーフブリッジの中点出力をv1,v2とすると、電線を流れる電流の大きさは
IPC (2件)：
FI (2件)：
G01R15/02 A
, G01R33/06 R
2G017AA01
, 2G017AB05
, 2G017AC04
, 2G017AC09
, 2G017AD55
, 2G017BA05
, 2G017BA11
, 2G025AA08
, 2G025AB01
, 2G025AC01
