特許
J-GLOBAL ID:200903067516849005
高配向性熱電変換材料の製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (1件):
加茂 裕邦
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-122637
公開番号(公開出願番号):特開2004-006847
出願日: 2003年04月25日
公開日(公表日): 2004年01月08日
要約:
【課題】NaXCoO2(式中、0.3≦x≦0.8)からなる熱電変換材料について、その配向度が70%以上で且つパワーファクターが格段に大きい高配向性熱電変換材料を再現性よく製造する。【解決手段】元素組成式NaXCoO2(式中、0.3≦x≦0.8である)で表され、且つ、{001}面の配向度70%以上の高配向性セラミックス熱電変換材料の製造方法であって、その板状単結晶粉と焼結体粉を含む懸濁液を用いて板状単結晶粉を配向させた薄板状成形体を形成した後、積層し、焼結することを特徴とする高配向性熱電変換材料の製造方法。特に、板状単結晶粉の単結晶が共沈法で製造された単結晶を用いることにより、さらに優れた熱電性能を有する熱電変換材料が得られる。この製造方法で得られた高配向性セラミックス熱電変換材料からなる熱電変換素子。【選択図】図9
請求項(抜粋):
元素組成式NaXCoO2(式中、0.3≦x≦0.8である)で表され、且つ、{001}面の配向度70%以上の高配向性セラミックス熱電変換材料の製造方法であって、その板状単結晶粉と焼結体粉を含む懸濁液を用いて板状単結晶粉を配向させた薄板状成形体を形成した後、積層し、焼結することを特徴とする高配向性熱電変換材料の製造方法。
IPC (4件):
H01L35/34
, C04B35/495
, C30B29/22
, H01L35/22
FI (4件):
H01L35/34
, C30B29/22 Z
, H01L35/22
, C04B35/00 J
Fターム (22件):
4G030AA03
, 4G030AA28
, 4G030BA01
, 4G030BA21
, 4G030CA02
, 4G030CA04
, 4G030CA08
, 4G030GA01
, 4G030GA17
, 4G030GA20
, 4G030GA25
, 4G030GA27
, 4G030GA29
, 4G077AA07
, 4G077AB02
, 4G077BC60
, 4G077CA10
, 4G077EC01
, 4G077GA03
, 4G077HA05
, 4G077HA14
, 4G077JA06
引用特許:
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