半導体ウェーハの保存方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：荒船博司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-354580
公開番号（公開出願番号）：特開平5-166785
出願日： 1991年12月18日
公開日（公表日）： 1993年07月02日
要約：

【要約】【目的】エピタキシャル成長の直前に行なう前処理としてのエッチング工程を省くことが可能なInPウェーハの保存技術を提供する。【構成】エピタキシャル成長に供されるInPウェーハを鏡面研磨、洗浄、水洗した後、不活性ガス中に保存するようにした。【効果】エピタキシャル成長を行なうまでに数カ月間放置されたとしても、その期間に新たにIn、Pの酸化物及び有機物が表面に付着して汚染されることがなく、エピタキシャル成長直前に取り出せば、前処理としてのエッチングや洗浄を行なうことなくそのままエピタキシャル成長を行なっても、ウェーハ表面に良質なエピタキシャル層を成長させることができる。

請求項（抜粋）：

エピタキシャル成長に供される半導体ウェーハを鏡面研磨し、洗浄、水洗した後、不活性ガス中に保存するようにしたことを特徴とする半導体ウェーハの保存方法。

IPC (2件)：

H01L 21/304 341 , H01L 21/304 321

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開昭60-167414
特開昭62-252140

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