特許

J-GLOBAL ID：200903067522039821

Al-Si電極

発明者： 佐武 秀機 ,  木田 隆夫 ,  吉野 彰一 ,  吉野 正規
出願人/特許権者： 株式会社クボタ
代理人 (1件)： 丸山 敏之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-299256
公開番号（公開出願番号）：特開平11-135843
出願日： 1997年10月31日
公開日（公表日）： 1999年05月21日
要約：

【要約】【課題】 電気抵抗率が低く、且つ熱膨張率が熱電素子とほぼ同じであり、熱電モジュールの熱電素子に好適に接合されるべき電極を提供する。【解決手段】 本発明のAl-Si電極は、Si:20〜40重量%、残部実質的にAlからなり、電気抵抗率が1.0×10-6Ω・m以下である。熱膨張率は15×10-6〜20×10-6K-1の範囲に調整できる。特にBi-Te系熱電素子に接合されるべき電極として適している。

請求項（抜粋）：

Si:20〜40重量%、残部実質的にAlからなり、電気抵抗率が1.0×10-6Ω・m以下であることを特徴とするAl-Si電極。

IPC (4件)：

H01L 35/32 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 35/08 ,  H01L 35/16

FI (4件)：

H01L 35/32 A ,  H01L 21/28 301 M ,  H01L 35/08 ,  H01L 35/16