半導体記憶装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山本秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-300538
公開番号（公開出願番号）：特開平6-267276
出願日： 1993年11月30日
公開日（公表日）： 1994年09月22日
要約：

【要約】【構成】動作信号SEによって、センスアンプ1,10が活性化される。センスアンプ1,10が活性化されると、ビット線5,50間の電位差に応じた互いに相補な論理レベルが、センスアンプ出力線6,60を介して、3状態出力回路17に出力される。3状態出力回路17は、センスアンプ出力線6,60に出力された互いに相補な論理レベルに応じた論理レベルをラッチ回路3へ出力する。メモリセルから読み出されたデータは、ラッチ回路3でラッチされ出力バッファ4を介して出力される。【効果】ノイズによってセンスアンプの入力及び出力や動作信号に異常が発生した場合にも、出力回路に貫通電流が流れたり、誤ったデータが出力されるおそれが少なくなる。

請求項（抜粋）：

一対の信号線を介してメモリセルに接続されたセンスアンプであって、該センスアンプの活性化された状態と非活性化された状態とのうちいずれか一方を選択するための信号を受け取り、該一対の信号線間の電位差に応じて、一対の出力端子から論理レベルを有する信号を出力するセンスアンプと、該センスアンプが活性化された状態において、該センスアンプの該一対の出力端子から出力された信号の論理レベルが互いに異なるときに、該一対の出力端子から出力された信号の論理レベルに応じた論理レベルを有する信号を出力し、該センスアンプが活性化された状態において、該センスアンプの該一対の出力端子から出力された信号の論理レベルが同じであるときに、出力がハイインピーダンスとなり、該センスアンプが非活性化された状態のときにも、出力がハイインピーダンスとなる3状態出力手段とを備えた半導体記憶装置。

IPC (2件)：

G11C 11/409 , G11C 11/417

FI (2件)：

G11C 11/34 354 A , G11C 11/34 305

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開昭62-175995
特開平4-026985
特開平4-160815

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