特許

J-GLOBAL ID：200903067524370223

半導体装置の製造方法

発明者： 溝口 修二
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 宮井 暎夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-183878
公開番号（公開出願番号）：特開平11-026466
出願日： 1997年07月09日
公開日（公表日）： 1999年01月29日
要約：

【要約】【課題】 電極パッドに対するバンプの合わせずれを小さくでき、バンプ金属の高さばらつきを完全に抑える。【解決手段】 2層から構成される保護絶縁膜12,13に形成された電極パッド11上の開口部15にバンプを形成するための金属膜16を選択的に堆積させる工程と、開口部15の第2層目の保護絶縁膜13の上端面から突出したバンプ金属膜16を第2層目の保護絶縁膜13を研磨のストッパーとして表面研磨する工程と、半導体基板1表面を全面ドライエッチングすることにより、第1層目の保護絶縁膜12及びバンプを形成する金属膜16をエッチングのストッパーとして第2層目の保護絶縁膜13のみエッチングし、第1層目の保護絶縁膜12に第2層目の保護絶縁膜13の膜厚と同じ高さだけバンプ金属膜16を露出させてバンプを形成する工程とを含む。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に電極パッドを形成した後、第1層目の保護絶縁膜と第2層目の保護絶縁膜を順に形成する工程と、前記電極パッド上に形成した前記2層から構成される保護絶縁膜にフォトレジストパターンを形成した後、前記2層から構成される保護絶縁膜に開口部を形成する工程と、前記電極パッド上の開口部にバンプを形成するための金属膜を選択的に堆積させる工程と、前記開口部の第2層目の保護絶縁膜の上端面から突出したバンプ金属膜を第2層目の保護絶縁膜を研磨のストッパーとして表面研磨する工程と、第1層目の保護絶縁膜及びバンプ金属膜のエッチングレートが第2層目の保護絶縁膜のエッチングレートより小さくなるようなエッチング条件で半導体基板表面を全面ドライエッチングすることにより、第1層目の保護絶縁膜及びバンプを形成する金属膜をエッチングのストッパーとして第2層目の保護絶縁膜のみエッチングし、第1層目の保護絶縁膜に第2層目の保護絶縁膜の膜厚と同じ高さだけバンプ金属膜を露出させてバンプを形成する工程とを含む半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/321 ,  H01L 21/60 311

FI (4件)：

H01L 21/92 604 M ,  H01L 21/60 311 S ,  H01L 21/92 604 A ,  H01L 21/92 604 B