特許
J-GLOBAL ID：200903067525995014
半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-256868
公開番号（公開出願番号）：特開平5-102081
出願日： 1991年10月04日
公開日（公表日）： 1993年04月23日
要約：
【要約】【目的】 コンタクトホールの底部へのバリア層の形成に関し、信頼性よくバリア層を形成することを目的とする。【構成】 アスペクト比の大きなコンタクトホールを通じ、半導体基板に設けられている拡散層とアルミニウムコンタクトをとる際にコンタクトホールの底部に順次に形成する金属膜/金属窒化物膜よりなるバリア層の形成を、気相成長法により有機金属化合物ガスをソースガスとし、水素ガスをキャリアガスに用いて金属膜を、またこのガスに窒素ガスまたはアンモニアガスを加えて金属膜上に更に金属窒化膜を形成する工程において、前記ソースガスに更に炭化水素ガスを添加してバリア層の成長を行うことを特徴として半導体装置の製造方法を構成する。
請求項（抜粋）：
有機金属化合物ガスをソースガスとし、水素ガスをキャリアガスとして金属膜を、また該ガスに窒素ガスまたはアンモニアガスを加えて前記金属膜上に更に金属窒化膜を形成する気相成長工程において、前記ソースガスに更に炭化水素ガスを添加してバリア層の成長を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/285 301
, C23C 16/34
, H01L 21/285
