特許

J-GLOBAL ID：200903067527139557

半導体装置およびその製造方法

発明者： 三輪 孝志 ,  諏訪 元大
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-158695
公開番号（公開出願番号）：特開平11-354566
出願日： 1998年06月08日
公開日（公表日）： 1999年12月24日
要約：

【要約】【課題】 半導体装置において品質の向上および小形化を実現して高性能化を図る。【解決手段】 半導体チップ1を支持するキャビティ部2aの周囲にボンディング電極が多段に設けられるとともに、最も外側の段に設けられた前記ボンディング電極が内側および外側の2列に配置され、前記内側のボンディング電極である電源電極2dが前記外側のボンディング電極である信号電極2cよりも肉厚の薄い薄肉部2bに設けられた多層配線基板2と、半導体チップ1のパッド1aと多層配線基板2の各ボンディング電極とを接続するボンディング用のワイヤ3と、半導体チップ1とワイヤ3とを封止する封止部4とからなり、電源電極2dが薄肉部2bに設けられたことにより、電源電極2dに接続されたワイヤ3と、信号電極2cに接続されたワイヤ3とをショートさせずに離して配置できる。

請求項（抜粋）：

ワイヤボンディングが行われて製造された半導体装置であって、半導体チップを支持する凹部の周囲にボンディング電極が多段に設けられるとともに、最も外側の段に設けられた前記ボンディング電極が内側および外側の2列に配置され、前記内側のボンディング電極が前記外側のボンディング電極よりも肉厚の薄い薄肉部に設けられた多層配線基板と、前記半導体チップの表面電極とこれに対応する前記多層配線基板の前記ボンディング電極とを電気的に接続するボンディング用のワイヤとを有し、前記内側のボンディング電極が前記薄肉部に設けられたことにより、前記内側のボンディング電極に接続された前記ワイヤと、前記外側のボンディング電極に接続された前記ワイヤとが離れて配置されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/60 301 ,  H01L 23/12

FI (2件)：

H01L 21/60 301 A ,  H01L 23/12 N