特許
J-GLOBAL ID:200903067530318250

固体撮像装置とその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 宮井 暎夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平3-277733
公開番号(公開出願番号):特開平5-121459
出願日: 1991年10月24日
公開日(公表日): 1993年05月18日
要約:
【要約】【目的】 リセット雑音の発生しないフローティング・ディフュージョン増幅器型の電荷検部を備えた固体撮像装置を提供するとともに、この装置を簡単に製造することができる製造方法を提供する。【構成】 フローティング・ディフュージョン6のn- 層2の一部に、不純物濃度が拡散領域中央部で濃くなる領域6aと端部で薄くなる領域6bを追加して形成し、この追加したn- 層の高濃度領域6a上に高濃度のp+ 層10を形成してフローティング・ディフュージョン増幅器型の電荷検出部Dを構成する。
請求項(抜粋):
一導電形の半導体層上に形成した他導電形の拡散領域と、この拡散領域に隣接して設けた電位障壁形成ゲート電極と、この電位障壁形成ゲート電極に隣接して設けた電荷転送装置の最終ゲート電極と、前記拡散領域をソース電極として形成した前記拡散領域リセット用のMOSトランジスタと、前記拡散領域の電位を検出するソースフォロア回路とで構成されたフローティング・ディフュージョン増幅器型の電荷検出部を備えた固体撮像装置であって、前記他導電形の拡散領域を、その不純物濃度が拡散領域中央部で濃く、端部で薄くなるように形成するとともに、前記他導電形の拡散領域中央部の上に一導電形の拡散領域を形成したことを特徴とする固体撮像装置。
IPC (3件):
H01L 21/339 ,  H01L 29/796 ,  H01L 27/148
FI (2件):
H01L 29/76 301 D ,  H01L 27/14 B

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