特許
J-GLOBAL ID：200903067543886320
半導体超微粒子
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 曉司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-259260
公開番号（公開出願番号）：特開2003-064282
出願日： 2001年08月29日
公開日（公表日）： 2003年03月05日
要約：
【要約】【課題】 良好な溶媒への溶解性、ポリマー中での分散性、優れた塗膜性、及び該半導体結晶の量子効果による制御された吸発光特性を兼ね備えた半導体超微粒子を提供する。【解決手段】 ポリアルキレングリコール残基がアミノ基を介して半導体結晶表面に結合されてなる半導体超微粒子。
請求項（抜粋）：
ポリアルキレングリコール残基がアミノ基を介して半導体結晶表面に結合されてなる半導体超微粒子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (21件)：
4H006AA01
, 4H006AA03
, 4H006AB78
, 4H006BP10
, 4H006BT12
, 4J037AA02
, 4J037AA04
, 4J037AA08
, 4J037AA13
, 4J037AA17
, 4J037CB07
, 4J037CB10
, 4J037CB15
, 4J037CB16
, 4J037CC25
, 4J037DD02
, 4J037DD05
, 4J037EE02
, 4J037EE22
, 4J037FF02
, 4J037FF15
