特許
J-GLOBAL ID：200903067549114256
光電変換装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-167657
公開番号（公開出願番号）：特開平6-013461
出願日： 1992年06月25日
公開日（公表日）： 1994年01月21日
要約：
【要約】【目的】 光電変換素子の高効率化を図る。【構成】 P型シリコン基板1から個々の素子を分割するためのスクライブ溝8の形成工程を、N型半導体層2の形成によるPN接合形成の後で、かつ表面パッシベーション膜3形成工程の前に行なう。
請求項（抜粋）：
少なくとも1個の光電変換装置が形成された大きい面積の半導体基板から、小さい面積の光電変換装置を取出すためのスクライブ溝の形成工程を、PN接合形成工程の後で、かつ表面パッシベーション膜形成工程の前に行なうことを特徴とする光電変換装置の製造方法。
IPC (2件)：
前のページに戻る
