特許

J-GLOBAL ID：200903067564550640

薄膜形成方法

発明者： 松田 哲朗 ,  岡野 晴雄
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 則近 憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-228261
公開番号（公開出願番号）：特開平6-077145
出願日： 1992年08月27日
公開日（公表日）： 1994年03月18日
要約：

【要約】【構成】 反応室に基板を設置し、反応室内に酸素を構成元素として含む有機シランガスとハロゲンを構成元素として含むガスを導入し、上記有機シランガスを熱分解することにより上記基板上にシリコン酸化膜を形成することを特徴とする薄膜形成方法。【効果】 シリコン酸化膜中に取り込まれるH2 Oの量を大幅に減らすことができる。

請求項（抜粋）：

反応室に基板を設置し、前記反応室内に酸素を構成元素として含む有機シランガスとハロゲンを構成元素として含むガスを導入し、前記有機シランガスを熱分解することにより前記基板上にシリコン酸化膜を形成することを特徴とする薄膜形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/31

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 薄膜形成装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-138656   出願人：三菱電機株式会社
• 特開平2-236282