特許

J-GLOBAL ID：200903067569557294

カソード電極

発明者： 亀井 光浩 ,  瀬戸山 英嗣 ,  梅原 諭
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 笹岡 茂 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-153906
公開番号（公開出願番号）：特開平8-325726
出願日： 1995年05月29日
公開日（公表日）： 1996年12月10日
要約：

【要約】【目的】 マグネトロン磁石形状、表面磁場強度分布を変え、ターゲットの使用効率を飛躍的に向上させるカソード電極を提供することにある。【構成】 ターゲットと、該ターゲットと対向する位置に配置され、該ターゲットをスパッタリングすることにより飛散したスパッタ粒子が堆積して成膜される基板と、該ターゲットの裏面に配置され、長方形状のマグネトロン磁場を形成するマグネトロン磁石1、2からなるスパッタリング装置において、補助マグネトロン磁石5を前記マグネトロン磁石に対して幾何学的に非対称になるように配置することを特徴とする。【効果】 電子密度が高くなる長方形状の2箇所のマグネトロン磁場を弱めることにより、エロージョン領域内におけるターゲットの削られる量をほぼ均一にすることができ、これにより、その寿命を飛躍的に伸ばすことができる。

請求項（抜粋）：

ターゲットと、該ターゲットと対向する位置に配置され、該ターゲットをスパッタリングすることにより飛散したスパッタ粒子が堆積して成膜される基板と、該ターゲットの裏面に配置され、長方形状のマグネトロン磁場を形成するマグネトロン磁石からなるスパッタリング装置において、補助マグネトロン磁石を前記マグネトロン磁石に対して幾何学的に非対称になるように配置することを特徴とするカソード電極。