特許

J-GLOBAL ID：200903067573685248

半導体装置製造方法

発明者： 味沢 治彦
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 晴敏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-365289
公開番号（公開出願番号）：特開2003-168733
出願日： 2001年11月29日
公開日（公表日）： 2003年06月13日
要約：

【要約】【課題】 ダマシン構造を有する半導体装置の接続孔の信頼性を改善する。【解決手段】半導体装置製造プロセスでは、層間膜5を選択的にエッチングしてストッパ膜4に達する接続孔6を開口する。次に、接続孔6の底部に露出したストッパ膜4をエッチングで除去して金属配線3の表面を露出させる際、接続孔6の底部に残されるストッパ膜4の端面4Tがテーパ状となる様にエッチングを行なう。露出した金属配線3の表面からエッチングの際に生じた不要な被膜7を除去して表面を清浄化する。清浄化工程の際に生じるストッパ膜4の下のオーバハング4Hを解消するまでストッパ膜4のテーパ状の端面をエッチングで除去する。この後、オーバハングが解消した接続孔の底部及び側部に連続してバリアメタル層を形成し、更にバリアメタル層で覆われた接続孔に金属配線を充填する。

請求項（抜粋）：

基板上に配された絶縁膜の溝に埋め込んで金属配線を形成する配線工程と、該金属配線の表面にストッパ膜を介して層間膜を堆積する堆積工程と、該層間膜を選択的にエッチングして該ストッパ膜に達する接続孔を開口する第一エッチング工程と、該接続孔の底部に露出した該ストッパ膜をエッチングで除去して該金属配線の表面を露出させる際、該接続孔の底部に残される該ストッパ膜の端面がテーパ状となる様にエッチングを行なう第二エッチング工程と、該露出した金属配線の表面からエッチングの際に生じた不要な被膜を除去して表面を清浄化する清浄化工程と、該清浄化工程の際に生じる該ストッパ膜の下のオーバハングを解消するまで該ストッパ膜のテーパ状の端面をエッチングで除去する第三エッチング工程と、該オーバハングが解消した接続孔の底部及び側部に連続してバリアメタル層を形成するバリア工程と、該バリアメタル層で覆われた接続孔に金属材料を充填する充填工程とを行なう半導体装置製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/3065

FI (2件)：

H01L 21/90 A ,  H01L 21/302 M

Fターム (47件)：

5F004AA12 ,  5F004BB11 ,  5F004DA01 ,  5F004DA02 ,  5F004DA16 ,  5F004DA23 ,  5F004DA26 ,  5F004DB07 ,  5F004EB01 ,  5F033HH19 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK11 ,  5F033KK21 ,  5F033KK32 ,  5F033MM01 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP06 ,  5F033PP14 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ14 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ33 ,  5F033QQ34 ,  5F033QQ35 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ92 ,  5F033QQ94 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR09 ,  5F033RR11 ,  5F033RR25 ,  5F033SS15 ,  5F033SS21 ,  5F033XX28