特許

J-GLOBAL ID：200903067575585658

半導体装置およびその製造方法

発明者： 石橋 和博
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-210607
公開番号（公開出願番号）：特開2000-049388
出願日： 1998年07月27日
公開日（公表日）： 2000年02月18日
要約：

【要約】【課題】 半導体装置の表面に、簡便に、かつ有効な帯電防止薄膜を形成することを目的とする。【解決手段】 半導体装置を、帯電防止剤としての界面活性剤または電荷移動型ボロンポリマーを所定濃度で含有する希釈溶液5からミスト化した雰囲気7にした処理室8に曝して置いた後、乾燥器9内で加熱乾燥し、外装体の表面に帯電防止薄膜を形成する。これにより、静電気に影響を受けにくい部品実装率を確保することができる。

請求項（抜粋）：

外装体の表面に帯電防止剤を含む気化物を接触させて、帯電防止薄膜を被着形成したことを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 33/00 ,  H01L 23/00 ,  B65D 85/86 ,  H01L 21/304 646

FI (4件)：

H01L 33/00 N ,  H01L 23/00 B ,  H01L 21/304 646 ,  B65D 85/38 S

Fターム (7件)：

3E096BA08 ,  3E096BB03 ,  3E096DB10 ,  3E096FA07 ,  5F041AA21 ,  5F041DA81 ,  5F041DA91