特許
J-GLOBAL ID：200903067578217757
半導体レーザの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
本庄 伸介
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-276590
公開番号（公開出願番号）：特開平6-104527
出願日： 1992年09月21日
公開日（公表日）： 1994年04月15日
要約：
【要約】【目的】 高温特性や光出力特性に優れた光半導体素子を均一性、再現性よく製作する。【構成】 半導体基板上1の表面に活性層3を含むダブルヘテロ構造を選択的に形成し、その両側に半導体ブロック層7,8を埋め込み成長し、さらにダブルヘテロ構造と半導体ブロック層の上に、半導体クラッド層5と半導体コンタクト層6を積層する製造方法であり、活性層を選択成長によって形成するために半導体のエッチングが不要で、均一性が向上するとともに、活性層の両側に電流ブロック層を形成しているため、高温特性や光出力特性において優れた素子が得られる。
請求項（抜粋）：
第1導電型半導体基板上に、ストライプ状の2本の成長阻止マスクを形成し、前記成長阻止マスクに挟まれた導波領域に半導体活性層を含むダブルヘテロ構造を選択的に成長する工程を有する半導体レーザの製造方法において、前記導波領域上面に成長阻止マスクを形成してその両側に少なくとも第2導電型半導体ブロック層および第1導電型半導体ブロック層を含む半導体ブロック構造を埋め込み成長する工程と、さらに前記ダブルヘテロ構造および半導体ブロック構造の上に、少なくとも第2導電型半導体クラッド層を形成する工程とからなることを特徴とする半導体レーザの製造方法。
引用特許：
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