エチニルナフタレン誘導体

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高橋勝利
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-185441
公開番号（公開出願番号）：特開2001-010997
出願日： 1999年06月30日
公開日（公表日）： 2001年01月16日
要約：

【要約】【課題】 p型の液晶性化合物であり、かつΔnが非常に大きい、エチニルナフタレン誘導体であって、さらにこれを用いてしきい値電圧が低く、Δnが大きく、さらには温度範囲の広い液晶組成物を提供する。【解決手段】一般式(I)【化1】(R:アルコキシ又はF原子で置換されていてもよいアルキル、アルコキシ、アルケニル又はアルケニルオキシ、環A:トランス-1,4-シクロヘキシレン基又は1個以上のF原子で置換されていてもよい1,4-フェニレン、X1、X2及びX3:独立してH又はF、1つはF、M:単結合、-CH2CH2-又は-C≡C-、Xa及びXb:独立してH又はF、Z:F、Cl、トリフルオロメトキシ、ジフロオロメトキシ、トリフルオロメチル、2,2,2-トリフルオロエトキシ又はCN)のエチニルナフタレン誘導体およびこれを含有する液晶組成物。

請求項（抜粋）：

一般式(I)【化1】(式中、Rは炭素原子数1〜8のアルキル基またはアルコキシ基、あるいは炭素原子数2〜8のアルケニル基またはアルケニルオキシ基を表し、これらは、炭素原子数1〜10のアルコキシ基または1〜10個のフッ素原子により置換されていてもよく、環Aはトランス-1,4-シクロヘキシレン基または1個以上のフッ素原子により置換されていてもよい1,4-フェニレン基を表し、X1、X2およびX3はそれぞれ独立的に水素原子またはフッ素原子を表すが、少なくとも1つはフッ素原子を表し、Mは単結合、-CH2CH2-または-C≡C-を表し、Xa及びXbはそれぞれ独立的に水素原子またはフッ素原子を表し、Zはフッ素原子、塩素原子、トリフルオロメトキシ基、ジフロオロメトキシ基、トリフルオロメチル基、2,2,2-トリフルオロエトキシ基またはシアノ基を表す。)で表されるエチニルナフタレン誘導体。

IPC (7件)：

C07C 25/24 , C07C 43/192 , C07C 43/225 , C07C255/50 , C07C255/54 , C09K 19/32 , G02F 1/13 500

FI (7件)：

C07C 25/24 , C07C 43/192 , C07C 43/225 C , C07C255/50 , C07C255/54 , C09K 19/32 , G02F 1/13 500

Fターム (40件)：

4H006AA01 , 4H006AA03 , 4H006AB64 , 4H006BM10 , 4H006BM30 , 4H006BM71 , 4H006BM72 , 4H006GP01 , 4H006GP02 , 4H006GP03 , 4H027BA01 , 4H027BC04 , 4H027BD01 , 4H027BD02 , 4H027BD04 , 4H027BD05 , 4H027BD07 , 4H027BD08 , 4H027BD09 , 4H027BD24 , 4H027CB01 , 4H027CC04 , 4H027CD04 , 4H027CL01 , 4H027CL04 , 4H027CM01 , 4H027CM04 , 4H027CN01 , 4H027CN04 , 4H027CP04 , 4H027CQ01 , 4H027CQ04 , 4H027CR04 , 4H027CT02 , 4H027CT04 , 4H027CW01 , 4H027CW02 , 4H027DE04 , 4H027DK04 , 4H027DK05

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