特許
J-GLOBAL ID：200903067583053517
不良部分を含む半導体メモリを搭載可能な情報処理装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
富田 和子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-003393
公開番号（公開出願番号）：特開平8-190510
出願日： 1995年01月12日
公開日（公表日）： 1996年07月23日
要約：
【要約】【目的】不良セルを含む半導体メモリを、不良セルの容量に係わらず使用できる情報処理装置を提供する。【構成】電気的に書換え可能な不揮発性メモリ2と、メモリコントローラ3と、外部との入出力を制御する入出力コントローラ6とを備え、メモリコントローラ3は、前記不揮発性メモリ2の構成セルの使用可、不可をテストし、使用可能なセルの容量を足し合わせた使用可能総容量を示すデータを前記不揮発性メモリの特定の部分に書き込み、記憶データをブロック単位で管理するテーブルを作成し、該テーブルに、使用不可能なブロックの情報を書き込む機能を備える。【効果】不良を含むメモリを問題なく使用できるため、不揮発性メモリ2としての低価格化に貢献する。また、不良箇所の検出登録を製品出荷時に行なう必要がなく、工程が省略できる。
請求項（抜粋）：
電気的に書替え可能な複数のメモリセルからなる半導体メモリと、前記半導体メモリへのデータの書き込み/読み出しを制御するメモリ制御手段と、前記半導体メモリに格納してあるデータの格納位置を、ファイル名と連鎖情報とにより明らかにするためのデータを前記半導体メモリ上に格納するデータ管理手段と、前記メモリ制御手段に、データ書き込み時には書き込むべきデータと書き込み位置を、データ読み出し時には読み出し位置を、前記データ管理手段の情報を参照しながら受け渡す手段と、前記メモリセルのうち使用に適さない部分を検出する手段と、前記検出手段の検出した結果を前記データ管理手段に格納する手段とを有することを特徴とする情報処理装置。
IPC (2件)：
G06F 12/16 310
, G06F 3/08
