特許

J-GLOBAL ID：200903067583205643

半導体製造用治具のための炭化珪素質基材の製造方法

発明者： 大橋 義美 ,  高松 昇司
出願人/特許権者： イビデン株式会社
代理人 (1件)： 恩田 博宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-129511
公開番号（公開出願番号）：特開平6-340479
出願日： 1993年05月31日
公開日（公表日）： 1994年12月13日
要約：

【要約】【目的】 金属Siの含浸を行わなくとも基材の高純度化、高強度化、軽量化を図ること、及び製造プロセスを簡単にしかつ低コスト化を図ること。【構成】 平均粒径が1μm〜500μmでありかつ不純物含有量が20ppm以下であるSiC粉末を用いて成形体を作製する。成形体を不活性雰囲気下かつ1500°C〜2000°Cの温度下にて焼成する。研磨等によって多孔質性焼結体のRaを0.5μm〜10μmとし、Rmaxを2.0μm〜100μmとする。得られた多孔質性の焼結体の表面に、減圧CVD法によって厚さ10μm〜500μmの高純度SiC薄膜を形成する。

請求項（抜粋）：

平均粒径が1μm〜500μmでありかつ不純物含有量が20ppm以下である炭化珪素粉末を用いて成形体を作製した後、その成形体を不活性雰囲気下かつ1500°C〜2000°Cの温度下にて焼成して得られる多孔質性の焼結体の表面に、CVD法による厚さ10μm〜500μmの高純度炭化珪素薄膜を形成することを特徴とした半導体製造用治具のための炭化珪素質基材の製造方法。

IPC (6件)：

C04B 38/00 304 ,  C04B 35/56 101 ,  C04B 41/85 ,  C04B 41/87 ,  C23C 16/32 ,  H01L 21/22