特許
J-GLOBAL ID：200903067584373426
半導体装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-007419
公開番号（公開出願番号）：特開平7-211913
出願日： 1994年01月27日
公開日（公表日）： 1995年08月11日
要約：
【要約】【目的】 半導体基板中の不純物濃度分布の複雑な最適化を行なわずして、従来素子の電流駆動能力、相互コンダクタンスを上回る高速デバイスを提供する。【構成】 基板1に埋込んだゲート電極2上に絶縁膜3、チャネル層4を形成する。そして、ソース電極5とドレイン電極6の間のチャネル領域に粒径10Å〜500Åの金属または高導電率半導体微粒子7を堆積した構造にする。各微粒子間の距離は電子がトンネルによって流れる程度とし、微粒子間の静電容量Cを(e*e)/2kTより充分小さくなるようにする。また、ゲート電極と微粒子間の静電容量は、Cより小さくなるようにしておく。そして、N個の微粒子間にNe/2Cより高い電圧を印加したときの微粒子層のシート抵抗が、h/4(e*e)より大きくなるように成膜条件を調整しておく。
請求項（抜粋）：
半導体または絶縁膜上にソース電極となる第一の電極とドレイン電極となる第二の電極を有し、上記両電極間に1個または複数個の金属粒子または高濃度不純物添加を施した高導電率半導体粒子が配置され、素電荷量をe、上記粒子間の静電容量をC、ソースドレイン間に直列に配列した上記粒子の個数をNとしたとき、電圧V=Ne/2Cより高い第一の電圧をソース-ドレイン間に印加した場合にソース-ドレイン間のシート抵抗が6.5キロオームより大きく、電圧V=Ne/2Cより低い第二の電圧をソース-ドレイン間に印加した場合にソース-ドレイン間を流れるチャネル電流が遮断されることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 29/78 311 H
, H01L 29/78 301 J
, H01L 29/78 311 J
