特許

J-GLOBAL ID：200903067586655496

真空処理装置

発明者： 渡邉 彰三 ,  原口 秀夫 ,  福井 祥二 ,  松田 出
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 石原 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-135609
公開番号（公開出願番号）：特開平11-329977
出願日： 1998年05月18日
公開日（公表日）： 1999年11月30日
要約：

【要約】【課題】 サセプタと真空処理容器の間に発生する不活性ガスによるグロー放電を防止し、被処理基板の表面処理を安定して行う。【解決手段】 不活性ガス供給経路中のサセプタと真空処理容器間に多孔質セラミックからなるブッシュを配置し、被処理基板を搬送するための昇降ピンをガイドするガイドブッシュ11を、内側の昇降ピンを支持する絶縁体ブッシュ11aと外側の多孔質セラミック11bの内外2重構造として、不活性ガスのサセプタと真空処理容器間の流路距離を長くとることによって不活性ガスのグロー放電を防止するようにした。ガイドブッシュ11を、絶縁体から成り中央部に昇降ピンを支持する穴を有し、外部に不活性ガスの流路を形成する螺旋状溝を形成した構成としてもよい。

請求項（抜粋）：

被処理基板を収容する真空処理容器と、真空処理容器への反応ガス供給手段と、真空処理容器の真空排気手段と、被処理基板を保持するサセプタと、真空処理容器内でプラズマを発生させるための高周波電力を印加する電源装置と、被処理基板を搬送するための昇降ピンと、昇降ピンをガイドするガイドブッシュと、被処理基板を処理温度に温度調整するために被処理基板とサセプタとの間の間隙に伝熱媒体となる不活性ガスを供給する不活性ガス供給経路と、不活性ガスの圧力を制御しつつ排気する不活性ガス排気手段とを備えた真空処理装置において、不活性ガス供給経路中のサセプタと真空処理容器間に多孔質セラミックからなるブッシュを配置し、ガイドブッシュを、内周側の昇降ピンを支持する絶縁体ブッシュと外周側の多孔質セラミックからなる内外2重構造としたことを特徴とする真空処理装置。

IPC (7件)：

H01L 21/205 ,  C23C 14/00 ,  C23C 16/44 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/3065 ,  H05H 1/46

FI (7件)：

H01L 21/205 ,  C23C 14/00 C ,  C23C 16/44 B ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/203 S ,  H05H 1/46 M ,  H01L 21/302 B