特許

J-GLOBAL ID：200903067588268635

減圧CVD装置

発明者： 齋藤 正樹
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-316454
公開番号（公開出願番号）：特開平6-151312
出願日： 1992年10月30日
公開日（公表日）： 1994年05月31日
要約：

【要約】【目的】 CVDチャンバーへの外気リークを比較的容易に防止することができ、しかもCVDチャンバー内に残留している酸素の供給源を低濃度とし、得られるCVD膜の膜質を向上させることができる減圧CVD装置を提供すること。【構成】 減圧CVDが行なわれるCVDチャンバー4と、このCVDチャンバー4に接続される少なくとも二系統の排気系12a,12bと、各排気系にそれぞれ装着される真空ポンプ18,20とを有する減圧CVD装置である。真空ポンプの内の何れか一つは、クライオポンプの如く分子のトラップ作用を有するポンプである。CVDチャンバー4の内外を隔離する各シール部34,37,42は、内周Oリング48と外周Oリング50との二重のシール構造になっており、これら二重のOリング間の空間には、導入口52および排出口54を通して不活性ガスが導入および排気される。

請求項（抜粋）：

減圧CVDが行なわれるCVDチャンバーと、このCVDチャンバーに接続される少なくとも二系統の排気系と、各排気系にそれぞれ装着される真空ポンプとを有し、上記CVDチャンバーの内外を隔離する各シール部は、内周シールリングと外周シールリングとの二重のシール構造になっており、内周シールリングと外周シールリングとの間の空間には、不活性ガスが導入および排気されるように構成してある減圧CVD装置。