特許
J-GLOBAL ID：200903067589250624
窒化物系半導体発光素子の製造方法および窒化物系半導体発光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
宮園 博一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-236165
公開番号（公開出願番号）：特開2008-060375
出願日： 2006年08月31日
公開日（公表日）： 2008年03月13日
要約：
【課題】特性および歩留りの低下を抑制することが可能な窒化物系半導体発光素子の製造方法を提供する。【解決手段】この窒化物系半導体発光素子の製造方法は、n型GaN基板11上に形成される窒化物系半導体素子層20の発光部分に対応するn型GaN基板11の領域11b以外の所定領域を所定の深さまで選択的に除去することにより、n型GaN基板11に溝部11aを形成する工程と、n型GaN基板11の領域11bおよび溝部11a上に、AlGaN層3を含む窒化物系半導体素子層20を形成する工程とを備えている。また、n型GaN基板11の表面は、(11-22)面を有する。【選択図】図13
請求項（抜粋）：
窒化物系半導体基板上に形成される窒化物系半導体層の発光部分に対応する前記窒化物系半導体基板の第1領域以外の第2領域の所定領域を所定の深さまで選択的に除去することにより、前記窒化物系半導体基板に溝部を形成する工程と、
前記窒化物系半導体基板の前記第1領域および前記溝部上に、前記窒化物系半導体基板とは異なる組成を有する前記窒化物系半導体層を形成する工程とを備え、
前記窒化物系半導体基板の表面は、(H、K、-H-K、L)面を有する、窒化物系半導体発光素子の製造方法。(HとKは整数であり、HとKの少なくとも一方は0ではない。また、Lは0ではない整数である。)
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (11件)：
5F173AA34
, 5F173AG12
, 5F173AH22
, 5F173AH49
, 5F173AP05
, 5F173AP37
, 5F173AP38
, 5F173AP75
, 5F173AR23
, 5F173AR83
, 5F173AR93
