特許
J-GLOBAL ID:200903067591712295

遷移金属/貴金属人工格子多層膜記録媒体の成膜方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 今井 毅
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-282419
公開番号(公開出願番号):特開平6-111404
出願日: 1992年09月28日
公開日(公表日): 1994年04月22日
要約:
【要約】【目的】 耐食性や膜構造の格別な劣化なく高保磁力(Hc)を備えた記録媒体用遷移金属/貴金属人工格子多層膜を容易かつ安定に成膜し得る方法を確立する。【構成】 スパッタリングにより光磁気又は垂直磁気記録媒体用の遷移金属(Co,Fe,Ni 等)/貴金属(Pt,Pd等) 人工格子多層膜を成膜するに当って、図1に例示した如く、多層膜の内の“少なくとも貴金属層を含む一部分の複数の層を成膜する際のスパッタガス圧”を“他の部分の複数の層を成膜する際のスパッタガス圧”よりも高くすることにより、保磁力の高い遷移金属/貴金属人工格子多層膜を成膜する。好ましくは、前記高ガス圧成膜時のスパッタガス圧を 0.5〜5.0 Paに、そして低ガス圧成膜時のスパッタガス圧を0.01〜1.0 Paに設定したり、“低ガス圧成膜時のスパッタガス圧”に対する“高ガス圧成膜時のスパッタガス圧”の比を 1.2〜100 に設定することによって膜特性や成膜安定性を一段と向上させる。
請求項(抜粋):
スパッタリングによって光磁気又は垂直磁気記録媒体用の遷移金属/貴金属人工格子多層膜を成膜するに当り、多層膜の内の“少なくとも貴金属層を含む一部分の複数の層を成膜する際のスパッタガス圧”を“他の部分の複数の層を成膜する際のスパッタガス圧”よりも高くすることを特徴とする、保磁力の高い遷移金属/貴金属人工格子多層膜記録媒体の成膜方法。
IPC (2件):
G11B 11/10 ,  G11B 5/85

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