特許

J-GLOBAL ID：200903067591885157

強誘電体素子の製造方法

発明者： 高橋 由紀見
出願人/特許権者： シチズン時計株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-228960
公開番号（公開出願番号）：特開2000-058935
出願日： 1998年08月13日
公開日（公表日）： 2000年02月25日
要約：

【要約】【課題】 ゾルゲル法を用いて強誘電体素子を形成するとき、膜厚が厚く、膜密度が高い膜を作ること。【解決手段】 強誘電体ゾルゲル溶液内に、ある特定のバインダーを添加することによりゾルゲル反応をより進行させ、ゾルゲル溶液内にあらかじめ強誘電体前駆体微粒子を生成し、その中へ別に作成しておいた強誘電体結晶微粒子を添加することにより、膜厚が厚く、膜密度が高い強誘電体素子を提供できる。

請求項（抜粋）：

金属アルコキシドを主原料とするゾルゲル法による強誘電体素子の製造方法であって、金属アルコキシドを加水分解して高分子量化し、得られたゾル状溶液に被膜形成性高分子材料を添加することにより、前記ゾル状溶液内に強誘電体前駆体微粒子を生成させる工程と、さらに、その強誘電体前駆体微粒子を有する前記ゾル状溶液内に強誘電体結晶微粒子を混合する工程とを有することを特徴とする強誘電体素子の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 41/09 ,  C04B 35/49 ,  H01L 41/187 ,  H01L 41/22

FI (4件)：

H01L 41/08 C ,  C04B 35/49 W ,  H01L 41/18 101 D ,  H01L 41/22 Z

Fターム (9件)：

4G031AA11 ,  4G031AA12 ,  4G031AA32 ,  4G031BA09 ,  4G031BA10 ,  4G031GA01 ,  4G031GA02 ,  4G031GA03 ,  4G031GA05