特許
J-GLOBAL ID：200903067594405121
半導体発光装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-325713
公開番号（公開出願番号）：特開平8-181356
出願日： 1994年12月27日
公開日（公表日）： 1996年07月12日
要約：
【要約】【目的】 半導体発光装置の信頼性及び製造歩留りを向上する。【構成】 発光を生ずる活性層(15)を2つのクラッド層(14,16) で挟んだダブルへテロ構造部と、上記ダブルヘテロ構造部を両側から電流拡散層(17)を介して挟むように形成される第1及び第2の電極(19,20) と、上記第1若しくは第2の電極と前記ダブルへテロ構造部との間に設けられ、上記ダブルヘテロ構造部の物理的強度に比べてもろく形成された高密度転位導入層(30)と、を備える。【効果】 高密度転位導入層によって、ダメージによって電流拡散層に生じた結晶欠陥のダブルヘテロ構造部内への伸長が抑制される。
請求項（抜粋）：
発光を生ずる活性層を2つのクラッド層で挟んだダブルへテロ構造部と、前記ダブルヘテロ構造部を両側から挟むように形成される第1及び第2の電極と、前記第1若しくは第2の電極と前記ダブルへテロ構造部との間に設けられ、前記ダブルヘテロ構造部の物理的強度に比べてもろく形成された高密度転位導入層と、を備え、前記高密度転移導入層によって、外部側から前記ダブルへテロ構造部に向って進行する結晶欠陥を抑制する、ことを特徴とする半導体発光装置。
IPC (3件)：
H01L 33/00
, H01L 21/20
, H01S 3/18
