特許
J-GLOBAL ID：200903067600734957
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-076714
公開番号（公開出願番号）：特開平5-283731
出願日： 1992年03月31日
公開日（公表日）： 1993年10月29日
要約：
【要約】【目的】 注入欠陥のレベルを抑えることのできる最適の不純物濃度と深さを与える。【構成】 P型シリコン基板またはP型のウェルを有するシリコン基板1に、チャネルストッパーとなるP型領域2を形成する。次にシリコン基板1上に酸化膜あるいは窒化膜を含む酸化膜3を形成する。酸化膜3上にはフォトダイオードを形成する領域を除いてマスク4を形成する。次にリンイオンビーム5をシリコン基板1全面に渡って注入する。このようにして比較的薄い濃度のN型不純物層6を形成する。ここでリンイオンビーム5は加速エネルギー150keV、ドーズ量2×1012cm-2で注入する。
請求項（抜粋）：
半導体基板にN型不純物を導入してフォトダイオードを形成する工程と、前記フォトダイオードの前記シリコン基板表面に正孔蓄積層となるP型不純物層を、少なくとも二種類の加速エネルギーの条件でイオン注入し形成する工程とからなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 31/10 A
, H01L 21/265 A
, H01L 21/265 F
