特許
J-GLOBAL ID：200903067604292649
絶縁分離形半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 強
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-225565
公開番号（公開出願番号）：特開平6-196706
出願日： 1993年09月10日
公開日（公表日）： 1994年07月15日
要約：
【要約】【目的】 パワーMOSFETが形成されたシリコン基板に絶縁膜を介して保護用のツェナーダイオードを形成する半導体装置で、絶縁膜の実質的な破壊耐量を向上させ、ツェナーダイオードの耐圧を大きく設定できるようにする。【構成】 p形拡散領域104の外周部に電気的に接続されたゲートプレート111を設けると共に、ツェナーダイオード群115を形成するための素子部112a〜112cおよび等電位プレート113a〜113cを形成する。等電位プレート113a〜113cは素子部112a〜112cのツェナーダイオード対114により所定の電位を保持させる。ドレイン端子Dとソース端子Sとの間に電圧が印加されると、シリコン基板102中に主表面に沿って広がる空乏層の電位がシリコン酸化膜110に印加されるが、膜厚方向にかかる電位差を低下させることができ、実質的にシリコン酸化膜の絶縁破壊耐量が向上する。
請求項（抜粋）：
第1導電形の半導体基板およびその主表面に形成された第2導電形の不純物拡散領域を含んで構成される第1の半導体素子と、前記半導体基板の主表面を覆う絶縁膜と、この絶縁膜上の前記不純物拡散領域の周縁部分に位置して形成され前記第1の半導体素子の端子間に電気的に接続された第2の半導体素子とからなる絶縁分離形半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 29/784
, H01L 21/76
, H01L 29/90
