特許
J-GLOBAL ID：200903067604917754
圧力センサ及び圧力センサの製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 成示 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-319798
公開番号（公開出願番号）：特開平8-181329
出願日： 1994年12月22日
公開日（公表日）： 1996年07月12日
要約：
【要約】【目的】 薄膜型歪みゲージの感度及び機械的耐久性の向上を図る。【構成】 シリコン基板1上に形成されたダイアフラム8を構成する、上部ポリイミド膜6と下部ポリイミド膜3との間に、薄膜型歪みゲージ4、及び、配線部5を形成した。【効果】 ダイアフラム8を低熱膨張性のポリイミド膜で構成したことで、歪み量を大きくすることができ、感度向上が図れる。また、容易に製造でき、信号処理回路との一体化が可能である。
請求項（抜粋）：
周辺部分が基板に固定されたダイアフラム上に薄膜型歪みゲージが配置されてなる圧力センサにおいて、前記ダイアフラムが、連続する2層である上部低熱膨張性ポリイミド膜と下部低熱膨張性ポリイミド膜とを含む、多層の膜からなり、前記薄膜型歪みゲージが、前記上部低熱膨張性ポリイミド膜と前記下部低熱膨張性ポリイミド膜の間に形成されていることを特徴とする圧力センサ。
IPC (3件)：
H01L 29/84
, G01B 7/16
, G01L 9/04 101
