特許
J-GLOBAL ID：200903067614096961
電界発光素子及び光波長変換方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
池浦 敏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-401990
公開番号（公開出願番号）：特開2003-203774
出願日： 2001年12月28日
公開日（公表日）： 2003年07月18日
要約：
【要約】【課題】 膜安定性及び耐久性に優れ、低電圧で良好な発光性を有し、しかも製造の容易な電界発光素子及びこの電界発光素子を用いた光波長変換方法を提供すること。【解決手段】 光電変換層及び電界発光層からなる積層体の両面に電極を設けた電界発光素子であって、該光電変換層に下記一般式(1)で表される化合物を含有させたことを特徴とする電界発光素子及び電荷発生材料を含有する光電変換層及び電界発光層からなる積層体の両面に電極を設け、該電荷発生材料吸収領域の光を照射し、さらに該電極から電圧を印加することにより、発光物質から光を発生させる光波長変換方法であって、上記の電界発光素子を用いることを特徴とする光波長変換方法。【化1】
請求項（抜粋）：
光電変換層及び電界発光層からなる積層体の両面に電極を設けた電界発光素子であって、該光電変換層及び/又は該電界発光層はポリカーボネート樹脂を含有し、該樹脂はその分子主鎖中に下記一般式(1)で表される芳香族カーボネート構造単位を含有することを特徴とする電界発光素子。【化1】(式中、Ar1、Ar2、Ar3は無置換又は置換アリーレン基を示し、R1、R2は無置換又は置換アリール基を示し、X1、X2は無置換もしくは置換エチレン基又は無置換もしくは置換ビニレン基を示す)
IPC (3件)：
H05B 33/14
, C09K 11/06 690
, H05B 33/22
H05B 33/14 B
, C09K 11/06 690
, H05B 33/22 B
, H05B 33/22 D
3K007AB02
, 3K007AB06
, 3K007AB18
, 3K007DB03
