特許

J-GLOBAL ID：200903067626812727

半導体基板の製造方法

発明者： 高橋 秀明 ,  松田 隆之
出願人/特許権者： 旭化成株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-375809
公開番号（公開出願番号）：特開2003-179011
出願日： 2001年12月10日
公開日（公表日）： 2003年06月27日
要約：

【要約】【課題】 基板の上に形成された金属膜を研磨パッドを用いて研磨する工程において、研磨パッドのドレッシングを行わなくとも、低荷重で高速に金属膜を研磨し、かつスクラッチ、ディッシング等研磨面の欠陥の発生も抑制できる半導体基板の製造方法を提供する。【解決手段】 エッチングレートが10nm/min.未満であり、荷重10KPaの時の研磨レートが200nm/min.以上、且つ上記の研磨レートとエッチングレートの比であるコントラストが20以上である研磨砥粒を1質量%未満含有する金属用研磨液を用い、研磨パッド表面のドレッシング処理をしない研磨パッドで、15KPa以下の荷重で研磨することを特徴とする半導体基板の製造方法。

請求項（抜粋）：

基板上に形成された金属膜を研磨パッドを用いて研磨する工程において、エッチングレートが10nm/min.未満であり、荷重10KPaの時の研磨レートが200nm/min.以上、且つ上記の研磨レートとエッチングレートの比であるコントラストが20以上である研磨砥粒を1wt%未満含有する金属用研磨液を用い、研磨パッド表面のドレッシング処理をしない研磨パッドで、15KPa以下の荷重で研磨することを特徴とする半導体基板の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/304 622 ,  B24B 37/00

FI (2件)：

H01L 21/304 622 D ,  B24B 37/00 Z

Fターム (4件)：

3C058AA07 ,  3C058BA02 ,  3C058CB01 ,  3C058DA17