特許

J-GLOBAL ID：200903067631625471

プラズマ処理方法および装置

発明者： 渡辺 成一 ,  古瀬 宗雄 ,  田村 仁 ,  大坪 徹
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-036521
公開番号（公開出願番号）：特開平9-289099
出願日： 1997年02月20日
公開日（公表日）： 1997年11月04日
要約：

【要約】【課題】マイクロ波プラズマの均一性を制御しやすくし、被処理基板が12インチ以上になっても均一なプラズマ処理を行う。【解決手段】空洞共振器6の底部に設けたスロットアンテナ8から放射されるマイクロ波を用いてプラズマを生成する際に、空洞共振器6の底部に流れる表面電流と平行でも垂直でもない角度でスロットアンテナ8を設け、スロットアンテナ8から放射されるTE0mモードとTM0nモード(m,nは正の整数)の混在したマイクロ波によってリング状のプラズマを生成し、試料を処理する。

請求項（抜粋）：

空洞共振器の中心軸付近を中心にして角度成分を有するマイクロ波電磁界を前記空洞共振器からマイクロ波導入窓を介して処理室内に放射し、被処理基板に対向する領域にリング状のプラズマを発生させ、該発生したリング状のプラズマにより前記被処理基板に対してプラズマ処理を施すことを特徴とするプラズマ処理方法。

IPC (6件)：

H05H 1/46 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065 ,  C30B 25/02

FI (6件)：

H05H 1/46 B ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 D ,  H01L 21/205 ,  C30B 25/02 P ,  H01L 21/302 A