半導体装置およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：深見久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-236695
公開番号（公開出願番号）：特開平10-084047
出願日： 1996年09月06日
公開日（公表日）： 1998年03月31日
要約：

【要約】【課題】平坦性に優れ、高集積化を図ることのできる半導体装置とその製造方法とを提供する。【解決手段】ゲート電極4、不純物拡散領域5a、5bを含む基板MOSFETと、チャネル領域としてのシリコン49aと第1および第2側部ゲート電極46、47を含むTFTとを備える。ゲート電極4に電気的に接続される第2側部ゲート電極47とチャネル領域としてのシリコン49aと不純物拡散領域5bに電気的に接続される第1側部ゲート電極46が横方向に順に配置されている。

請求項（抜粋）：

第1導電型の半導体基板の主表面に所定の間隔を隔ててそれぞれ形成された第2導電型の第1および第2不純物拡散領域と、前記第1および第2不純物拡散領域によって挟まれた領域上に第1絶縁膜を介在させて形成された第1電極と、前記第1電極を埋めるように前記主表面上に形成された第2絶縁膜と、前記第1および第2不純物拡散領域の表面をそれぞれ露出する前記第2絶縁膜に開孔された開孔部を埋めるようにそれぞれ形成された第2および第3電極と、前記第2電極上に第3絶縁膜を介在させて形成された第2導電型の半導体領域と、前記第1電極と電気的に接続され、前記半導体領域上に第4絶縁膜を介在させて形成された第4電極と、前記第2絶縁膜上にそれぞれ形成され、前記半導体領域を挟み込むように設けられた、第1導電型の第1半導体層および前記第3電極と電気的に接続された第1導電型の第2半導体層とを備えた、半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/8242 , H01L 27/108 , H01L 29/78

FI (2件)：

H01L 27/10 321 , H01L 29/78 301 X

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