特許
J-GLOBAL ID：200903067653160030
配線の形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志賀 富士弥 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-155528
公開番号（公開出願番号）：特開平5-347274
出願日： 1992年06月16日
公開日（公表日）： 1993年12月27日
要約：
【要約】【目的】 高融点金属プラグとAl系配線との反応を防止し、熱的に安定な配線を得る。【構成】 コンタクトホール3に選択WCVD法でWプラグ4を形成した後、Wプラグ4の表面を窒化処理して窒化タングステン層5を形成し、その上にAl系配線層6を形成、パターニングする。AlとWの間に窒化タングステン層5を介在させることにより、AlとWの反応が阻止され、熱的安定性を有する配線が得られる。
請求項（抜粋）：
高融点金属材料層の表面を、窒素(N)原子を含むガス、または炭素(C)原子を含むガス、またはホウ素(B)原子を含むガスの少なくとも1つを含むガス雰囲気中で拡散的処理を施した後、該高融点金属材料層上にアルミニウム(Al)系金属材料層を形成することを特徴とする配線の形成方法。
IPC (2件)：
H01L 21/285 301
, H01L 21/3205
