特許

J-GLOBAL ID：200903067661266352

半導体装置及びその製造方法

発明者： 木内 祐治 ,  木村 親夫
出願人/特許権者： 新日本無線株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-219550
公開番号（公開出願番号）：特開2001-044428
出願日： 1999年08月03日
公開日（公表日）： 2001年02月16日
要約：

【要約】【課題】 化合物半導体、シリコン半導体で形成したMIS型構造を備えた半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体層と金属酸化物からなるゲート電極との界面に、金属酸化物から解離した酸素を含む層からなる絶縁層を備える。この絶縁層は、電極を形成した後、熱処理を行うことによって形成する。

請求項（抜粋）：

半導体層表面に絶縁層を介して電極を備えた半導体装置において、前記半導体層と金属酸化物からなる前記電極との界面に、前記金属酸化物から解離した酸素を含む絶縁層を備えたことを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/283 ,  H01L 21/316

FI (7件)：

H01L 29/78 301 G ,  H01L 21/28 301 H ,  H01L 21/283 E ,  H01L 21/316 X ,  H01L 21/316 Y ,  H01L 21/316 P ,  H01L 29/78 301 B

Fターム (22件)：

4M104AA01 ,  4M104AA05 ,  4M104BB36 ,  4M104CC05 ,  4M104DD78 ,  4M104EE03 ,  4M104EE14 ,  4M104GG02 ,  4M104GG09 ,  5F040DB01 ,  5F040DC01 ,  5F040DC03 ,  5F040EB17 ,  5F040EC04 ,  5F040ED03 ,  5F058BB02 ,  5F058BC02 ,  5F058BE04 ,  5F058BF52 ,  5F058BF62 ,  5F058BG03 ,  5F058BJ01