特許
J-GLOBAL ID：200903067665445294
プラズマドライエッチング方法および半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
園田 吉隆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-126758
公開番号（公開出願番号）：特開2002-329707
出願日： 2001年04月24日
公開日（公表日）： 2002年11月15日
要約：
【要約】【課題】 チャージングダメージを引き起こすことのないプラズマドライエッチング方法および半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 基板2上に形成されたゲート酸化膜6上の電極に電気的に接続された導体膜12をエッチングする方法であって、導体膜12上に導電性材料からなるマスク15を形成し、該マスク15を用いて導体膜12をエッチングする。
請求項（抜粋）：
基板上に形成されたゲート酸化膜上の電極に電気的に接続された導体膜をエッチングする方法であって、導体膜上に導電性材料からなるマスクを形成し、該マスクを用いて導体膜をエッチングすることを特徴とするプラズマドライエッチング方法。
Fターム (13件)：
5F004AA06
, 5F004CA02
, 5F004CA03
, 5F004DA04
, 5F004DA11
, 5F004DA16
, 5F004DA22
, 5F004DA25
, 5F004DB09
, 5F004DB10
, 5F004EA05
, 5F004EA28
, 5F004EB02
