3族窒化物半導体レーザ及びその製造方法

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：藤村元彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-113904
公開番号（公開出願番号）：特開2002-314203
出願日： 2001年04月12日
公開日（公表日）： 2002年10月25日
要約：

【要約】【解決課題】駆動電圧が低く光横モードが安定な窒化物半導体レーザを提供する。【解決手段】 (Al<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>)<SB>1-y</SB>In<SB>y</SB>N(但し、0≦x≦1,0≦y≦1)の3族窒化物半導体からなる複数の結晶層を有する窒化物半導体レーザであって、3族窒化物半導体の結晶層の内の活性層に隣接するAlx’Ga1-x’-y’Iny’N(但し、0≦x’≦1,0≦y’≦1)からなる活性層側ガイド層と、前記ガイド層上に積層されストライプ状開口を有するAlNからなる電流狭窄層と、Al<SB>x''</SB>Ga<SB>1-x''y''</SB>In<SB>y''</SB>N(但し、0≦x’’≦1,0≦y’’≦1)からなり、前記電流狭窄層の開口部を埋め込みつつ積層される電極側ガイド層と、前記電極側ガイド層上に積層されるAl<SB>u</SB>Ga<SB>1-u-v</SB>In<SB>v</SB>N(但し、0<u≦1,0≦v≦1)からなるクラッド層を有する。

請求項（抜粋）：

(Al<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>)<SB>1-y</SB>In<SB>y</SB>N(但し、0≦x≦1,0≦y≦1)の3族窒化物半導体からなる複数の結晶層を有する窒化物半導体レーザであって、前記3族窒化物半導体の結晶層の内の活性層に隣接するAl<SB>x'</SB>Ga<SB>1-x'-y'</SB>In<SB>y'</SB>N(但し、0≦x’≦1,0≦y’≦1)からなる活性層側ガイド層と、前記活性層側ガイド層上に積層されかつストライプ状開口を有するAlNからなる電流狭窄層と、Al<SB>x''</SB>Ga<SB>1-x''-y''</SB>In<SB>y''</SB>N(但し、0≦x’’≦1,0≦y’’≦1)からなり前記電流狭窄層の開口部を埋め込みつつ積層される電極側ガイド層と、前記電極側ガイド層側に積層されたAl<SB>u</SB>Ga<SB>1-u-v</SB>In<SB>v</SB>N(但し、0<u≦1,0≦v≦1)からなるクラッド層と,を有することを特徴とする窒化物半導体レーザ。

IPC (2件)：

H01S 5/343 610 , H01L 21/205

FI (2件)：

H01S 5/343 610 , H01L 21/205

Fターム (36件)：

5F045AA04 , 5F045AB09 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AB18 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AC19 , 5F045AD08 , 5F045AD09 , 5F045AD10 , 5F045AD14 , 5F045AF02 , 5F045AF03 , 5F045AF04 , 5F045AF09 , 5F045BB07 , 5F045BB08 , 5F045BB16 , 5F045CA12 , 5F045DA53 , 5F045DA55 , 5F045DA63 , 5F045DB05 , 5F045EB15 , 5F045HA14 , 5F045HA16 , 5F073AA07 , 5F073AA46 , 5F073AA74 , 5F073CA07 , 5F073CB05 , 5F073CB07 , 5F073DA05 , 5F073DA22 , 5F073EA29

引用特許：

審査官引用 (6件)

半導体発光装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-328397 出願人：富士通株式会社
窒化物半導体レーザ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-128769 出願人：パイオニア株式会社
半導体レーザ装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-299543 出願人：株式会社リコー

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