特許

J-GLOBAL ID：200903067676495579

半導体集積回路装置の製造方法および半導体集積回路装置

発明者： 中村 守男
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-077722
公開番号（公開出願番号）：特開平10-275782
出願日： 1997年03月28日
公開日（公表日）： 1998年10月13日
要約：

【要約】【課題】 窒化シリコンからなる側壁絶縁膜またはキャップ膜を有する半導体集積回路装置の製造方法にチタンシリサイドプロセスを適用した場合に、側壁絶縁膜またはキャップ膜上にチタンシリサイドが形成されるのを防止する。【解決手段】 チタンシリサイドプロセスに先立って、シリサイド形成用のチタン膜が窒化シリコンからなるサイドウォール4swに直接接触しないように、サイドウォール4swの表面に、酸化シリコンからなる隔離膜5aを形成しておく。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成された電極配線の側面に窒化シリコンからなる側壁絶縁膜を形成する工程と、前記側壁絶縁膜の表面に隔離膜を形成する工程と、前記隔離膜形成後の半導体基板上にチタンとシリコンとの反応により形成されたチタンシリサイド層を形成する工程とを有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 21/28 301 T ,  H01L 29/78 301 P